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Laboratorio di Microscopia Elettronica

logo Laboratorio Microscopia ElettronicaIl laboratorio di Microscopia Elettronica con sistema di microanalisi EDX permette l’indagine morfoscopica, tessiturale e chimica di campioni ad un’altissima risoluzione, anche alle basse tensioni di accelerazione. L’alta corrente e l’alta stabilità di fascio consentono analisi in dispersione di energia (EDS) e diffrazione di elettroni retrodiffusi (EBSD). La tecnologia permette distanze di lavoro analitiche di soli 8,5mm, ingrandimenti da 12x a 1.000.000x. Il sistema di microanalisi consente determinazioni qualitative e quantitative, anche in modalità analitica puntuale, areale, profili di concentrazione, mappe X su immagini SEM acquisite.

Campi di applicazione:
- Analisi di materiali Geologici e Archeologici;
- Caratterizzazione di materiali solidi, in bocchi, grani (stub) e film (sezioni sottili);
- Caratterizzazione morfoscopica di campioni;
- Caratterizzazione di tessitura e chimismo di minerali e rocce.

Responsabile
Dott.ssa Monica Piochi, Ricercatore Geofisico
Email: monica.piochi@ov.ingv.it
Tel:  +39 081 6108529

Strumentazione
Il laboratorio è dotato di un microscopio elettronico a scansione SIGMA Field Emission FESEM ZEISS equipaggiato con un sistema di microanalisi XMAN Oxford, controllato tramite interfacce softwares SMARTSEM e AZTEC, acquisito nel 2014 grazie a fondi PO FESR CAMPANIA 2007/2013. OB. OP. 2.1:

microscopio elettronico a scansione SIGMA

Lo strumento è equipaggiato con una colonna elettro-ottica GEMINI® e una camera ad alto vuoto di dimensioni relativamente grandi e un porta-campioni traslabile con le relative pompe per il vuoto, tre rivelatori e le associate elettroniche, e il sistema di raffreddamento. La colonna GEMINI® con la sorgente Schottky FE permette di ridurre le aberrazioni, raggiungere elevate risoluzioni anche a bassi voltaggi, e ottenere alte tensioni di corrente e stabilità del fascio. Sono presenti tre rilevatori:
InLens, integrato nella GEMINI®, con alta sensibilità per gli elettroni secondari.
SE2 per la detenzione efficace degli elettroni secondari ad elevate distanze operative.
BSE ad effetto topo-compo per la detezione degli elettroni secondari retrodiffusi (4Q BDS).
Sonda per la microanalisi Ultim Max Silicon Drift Detectors (SDD) XMAXN50 della Oxford.

Performance:
Vuoto: nella colonna 10-9 - 10-10 bar, in camera 3.5 10-5 - 10-7 bar misurati con penning
Distanza di Lavoro (WD): 1 - 50 mm
Risoluzione: 1.3 nm a 20 KV, 1.5 nm a 15 KV e 2.8 nm a 1 KV - WD= 2mm
Voltaggio di accelerazione: 0.1 - 30 KV
Fascio di Corrente: 4 pA-20 nA, stabilità 0.2% per ora
Ingrandimento: 12 - 1.000.000x
Aperture. 7.5 µm, 10 µm, 20 µm, 30 µm, 60 µm, 120 µm
Camera di Lavoro: 365 mm in diametro e 275 mm in altezza, visibile grazie alla telecamera interna.
Movimento del porta-campioni: X=Y= 125 mm, Z= 50 mm, Tilt= 0 - 90°, Rotazione= 360°
EDS: Area massima del singolo sensore di 80mm2, piccolo spot size e bassa corrente per analisi qualitative e quantitative. Acquisizione delle immagini SEM image. Acquisizione degli spettri su punti, lungo profili, aree e mappe, selezionate sull’immagine SEM.

La preparazione dei campioni viene assicurata da un metallizzatore QUORUM Q150TES con C-rod e film conduttivi in Cr.

- Camera porta-campioni del microscopio

Camera porta-campioni del microscopio

- Metallizatore per la preparativa

  Metallizatore per la preparativa